MOBITEKNO – Bersiap menjelang tahun baru 2017, bersiap pula menghadirkan prosesor smartphone baru! Demikian yang dilakukan desainer chip Qualcomm setelah mengumumkan Snapdragon 835 sebagai penerus prosesor Snapdragon 820 dan Snapdragon 821.
Snapdragon 820 selama ini sudah diakui sebagai prosesor smartphone flagship paling favorit sepanjang tahun 2016, sementara Snapdragon 821 disiapkan sebagai ‘minor upgrade’ untuk Snapdragon 820 dengan sedikit peningkatan performa. Tanpa memberikan jeda pasar chip smartphone, Qualcomm kembali mengumumkan kesiapannya merilis Snapdragon 835 dengan teknologi proses produksi 'revolusioner', Samsung FinFET 10 nm.
Belum diketahui pasti, apa alasan Qualcomm langsung menamakannya sebagai Snapdragon 835 (bukannya Snapdragon 830). Yang jelas, jika dibandingkan Snapdragon 820/821 yang dibuat dengan proses produksi 14 nm, Snapdragon 830 diklaim Qualcomm akan menawarkan peningkatan performa dan efisiensi chip.
Sayangnya juga, Qualcomm belum menjelaskan lebih detail perubahan arsitektur apa yang dibawa Snapdragon 835, misalnya seperti jenis core Kryo pada CPU atau core Adreno pada GPU-nya.
Seberapa jauh peningkatannya? Menurut rilsi Qualcomm, chip yang dibuat dengan proses manufaktur Samsung FinFET 10 nm akan meningkatkan efisiensi chip hingga 30 persen, performa chip 27 persen, dan mengurangi konsumsi daya hingga 40 persen.
Dengan peningkatan ini, Qualcomm optimis para produsen akan mendapat keleluasaan lebih jauh dalam mendesain smartphone yang di satu sisi lebih ramping, sisi lainnya bisa mengusung baterai dengan kapasitas baterai yang lebih besar.
Keith Kressin, SVP Product Management Qualcomm, dalam rilisnya menyatakan, “Peneraopanan node proses 10 nm akan memungkinkan prosesor Snapdragon 835 mengusung efisiensi daya yang lebih tinggi dan peningkatan performawhile, sekaligus juga menghadirkan fitur baru untuk peningkatan user experience pada perangkat mobile mendatang.”
Selain penerapan proses produksi Samsung FinFET 10 nm, Snapdragon 835 juga direncakanan bakal mengusung teknologi charging terbaru Qualcomm, disebut QuickCharge 4. QuickCharge 4 yang secara eksklusif baru didukung oleh Snapdragon 835 dijanjikan bisa melakukan pengisian baterai lebih cepat 20 persen dari QuickCharge 3.0.
Menurut pengujian Qualcomm, pegisiaan baterai 2750 mAh selama 5 menit sudah cukup membuat baterai smartphone bertahan 5 jam. Seperti apa nantinya, masih perlu dibuktikan setelah smartphone dengan Snapdragon 835 akan hadir di paruh pertama 2017 nanti.
Menariknya, selain lebih cepat mengisi baterai, stnadar QuickCharge 4 juga diklaim bakal lebih aman karena bisa menjaga suhu baterai smartphone lebih adem 5 derajat Celsius saat di-charging dari sumber listrik. Fitur ini sepertinya hadir untuk mengantisipasi meningkatknya insiden meledaknya baterai smartphone belaknga ini.
Tags: chip mobile, proses produksi, Qualcomm, QuickCharge 3.0, QuickCharge 4, Samsung FinFET 10 nm, Snapdragon 835, SoC
