April 11, 2019

Intel® Optane™ H10 Tawarkan Kapasitas dan Kemampuan Respons Luar Biasa

Penulis: Rizki R
Intel® Optane™ H10 Tawarkan Kapasitas dan Kemampuan Respons Luar Biasa  

Mobitekno – Hari ini, Kamis (11/4) Intel mengungkapkan detail daripada Intel® Optane™ memory H10 dengan solid state storage, sebuah perangkat inovatif yang menggabungkan kemampuan responsif dengan kapasitas penyimpanan teknologi Intel® Quad Level Cell (QLC) 3D NAND dalam sebuah bentuk M.2 yang hemat ruang.

Kombinasi teknologi Intel Optane dengan teknologi Intel QLC 3D NAND dalam sebuah modul M.2 memungkinkan ekspansi memori Intel Optane dalam notebook yang tipis dan ringan, serta desktop dengan keterbatasan ruang tertentu – seperti PC atau mini PC terpadu. Produk baru ini juga menawarkan kinerja dengan level performa yang lebih tinggi, yang tidak dapat dicapai oleh Triple Level Cell (TLC) 3D NAND SSD tradisional masa kini dan melenyapkan kebutuhan untuk perangkat penyimpanan sekunder.

Rob Crooke, Wakil Presiden Senior dan Manajer Umum dari Grup Non-Volatile Memory Solutions di Intel mengungkapkan bahwa Intel Optane memory H10 dengan solid state storage menyajikan kombinasi yang unik dari teknologi Intel Optane dan Intel QLC 3D NAND, dimana hal tersebut memberikan contoh pendekatan disruptif yang digunakan terhadap memori dan penyimpanan yang mengungkap kekuatan penuh dari platform yang terhubung dengan Intel, dengan cara yang tidak mampu ditawarkan oleh siapa pun.

Kemajuan Intel di bidang infrastruktur komputasi dan desain memungkinkan kami untuk meningkatkan manfaat dari platform secara keseluruhan (termasuk perangkat lunak, chipset, prosesor, memori, dan penyimpanan), serta menghantarkan manfaat tersebut kepada pelanggan,” lanjut Crooke.

intel optane memory h10

Intel pada April 2019 memperkenalkan memori Intel Optane H10 dengan solid-state storage. Perangkat ini menggabungkan kemampuan responsif teknologi Intel Optane dengan kapasitas penyimpanan teknologi Intel® Quad Level Cell (QLC) 3D NAND dalam sebuah bentuk M.2. (Credit: Intel Corporation)

Kombinasi akselerasi dengan kecepatan tinggi dan kapasitas penyimpanan SSD yang besar pada drive tunggal akan menguntungkan para pengguna komputer setiap harinya, terlepas dari apa pun tujuan mereka untuk menggunakan sistem tersebut – seperti berkreasi, bermain, atau bekerja. Dibandingkan dengan sistem TLC 3D NAND SSD mandiri, Intel Optane memory H10 dengan solid state storage memungkinkan akses yang lebih cepat untuk aplikasi yang sering digunakan, begitu pula dengan kemampuan penanggapan yang lebih baik dengan kegiatan latar belakang.

Generasi ke-8 Intel® Core™ U-series mobile platforms akan hadir bersama dengan Intel Optane memory H10 dengan solid state storage dan tersedia melalui produsen peralatan asli (OEM) utama dimulai dari kuartal ini. Melalui platform-platform ini, para pengguna akan dapat:

  • Meluncurkan dokumen hingga 2x lebih cepat, sekalipun mereka melakukan beberapa tugas pada saat yang bersamaan.
  • Meluncurkan permainan 60 persen lebih cepat, sekalipun mereka melakukan beberapa kegiatan pada saat yang bersamaan.
  • Membuka berkas media hingga 90 persen lebih cepat, sekalipun mereka melakukan beberapa tugas pada saat yang bersamaan.

SSD dengan memori Intel Optane menawarkan performa yang tercepat, apabila dibandingkan dengan NAND SSD yang digunakan oleh sebagian besar pelanggan saat ini. Platform berbasis Intel dengan memori Intel Optane dapat menyesuaikan diri dengan aktivitas komputasi sehari-hari untuk mengoptimalkan kinerja bagi tugas pengguna pada umumnya, begitu pula untuk aplikasi yang paling sering digunakan.

Intel Optane memory H10 dengan solid state storage akan hadir dalam kapasitas 16GB (memori Intel Optane) + 256GB (penyimpanan); 32GB (memori Intel Optane) + 512GB (penyimpanan); dan 32GB (memori Intel Optane) + 1TB (penyimpanan). Mengenai ketersediaan, perangkat ini bisa didapatkan melalui produsen peralatan asli/OEM (termasuk Dell, HP, ASUS, Acer dan lain-lain). Disamping itu, perangkat tersebut juga akan tersedia di toko ritel offline and online di Indonesia.

Tags: , , ,


COMMENTS